熱電堆參數(shù)
參數(shù) | 最小 | 規(guī)格典型 | 最大 | 單位 | 測(cè)試條件 |
芯片尺寸 | 1.75X1.75 | mm2 | |||
有效面積 | 0.9X0.9 | mm2 | |||
響應(yīng)率 | 36 | V/W | 黑體溫度500K,4HZ,25°C | ||
探測(cè)率 | 1E8 | cm·Hz1/2/W | 黑體溫度500K,4HZ,25°C | ||
熱電堆電阻 | 65 | kΩ | |||
時(shí)間常數(shù) | 20 | ms | |||
工作溫度 | -40 ~ 120 | °C | |||
儲(chǔ)存溫度 | -10 ~ 120 | °C |
NTC熱敏電阻(環(huán)境溫度補(bǔ)償)
NTC電阻值 | 30 | kΩ | ±3%偏差,25°C |
NTC溫度系數(shù)(B) | 3950 | k | ±1%偏差,在25/50°C下定義 |
NTC溫度與電阻值對(duì)應(yīng)表
溫度(°C) | 典型電阻(kΩ) | 溫度(°C) | 典型電阻(kΩ) |
-20 | 293.5 | 45 | 13.07 |
-50 | 220.2 | 50 | 10.76 |
-10 | 166.8 | 55 | 8.915 |
-5 | 127.5 | 60 | 7.42 |
0 | 98.26 | 65 | 6.206 |
5 | 76.37 | 70 | 5.214 |
10 | 59.81 | 75 | 4.4 |
15 | 47.2 | 80 | 3.729 |
20 | 37.5 | 85 | 3.174 |
25 | 30 | 90 | 2.712 |
30 | 24.15 | 95 | 2.326 |
35 | 19.57 | 100 | 2.326 |
40 | 15.94 | 105 | 1.731 |